Подписаться
Читать в телеграм
Южнокорейская компания SK hynix начала производство первой в мире оперативной памяти нового поколения DDR5 DRAM. Продукт, по заявлению производителя, оптимизирован для решения задач с применением технологий больших данных, искусственного интеллекта и машинного обучения.
Новинка поддерживает скорость передачи данных в диапазоне от 4800 до 5600 Мбит/сек на контакт, что в 1,8 раз выше показателя изделий стандарта предыдущего поколения – DDR4. Для сравнения: модуль памяти с такими характеристиками мог бы обеспечить передачу девяти фильмов в высоком разрешении (FullHD, примерно 5 ГБ каждый) в секунду.
Рабочее напряжение микросхемы было понижено с 1,2 до 1,1 В, благодаря чему уровень энергопотребления также снизился на 20%.
В DDR5-памяти SK hynix реализована функция коррекции ошибок (ECC, Error Correcting Code), которая по оценке производителя, повышает надежность работы приложений в 20 раз. Микросхемы DDR5 DRAM могут быть скомпонованы с максимальной плотностью при помощи технологии TSV, что позволяет получить модуль памяти емкостью до 256 ГБ.
Когда появятся продукты с поддержкой новой памяти
SK hynix объявила о создании первой в мире микросхемы 16-гигабитной памяти DDR5 DRAM в ноябре 2018 г. Комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC опубликовал последнюю версию стандарта DDR5 в июле 2020 г.
Если верить утечкам, поддержка оперативной памяти стандарта DDR5 может быть реализована в будущих серверных процессорах Intel на базе архитектуры Sapphire Rapids, которые должны выйти в 2021 г. CPU и APU компании AMD на базе архитектур Zen 4 и Zen 3+ соответственно могут обзавестись поддержкой DDR5 и выйти на рынок в 2022 г.
Согласно прогнозу исследовательской компании Omdia, спрос на DDR5 начнет расти в 2021 г., в 2022 г. достигнет 10% от рынка DRAM, а к 2024 г. превысит 40%.
