Создан материал, способный заменить кремниевые технологии

  • 24 октября 2016 г.

Ученые Лаборатории Беркли и Корнелльского университета изобрели материал, который в будущем может прийти на смену кремниевым технологиям при создании электроники.

Новый материал может стать основой для создания нового поколения компьютерных устройств, обладающий большой вычислительной мощностью и малым энергопотреблением.

Основу материала составляют чередующиеся «сэндвичем» атомарные слои – монослои оксида лютеция и оксид железа, создающие тонкую пленку гексагонального оксида лютеция/железа (LuFeO3), поляризация которой может переключаться с позитивной на негативную при помощи слабых электрических импульсов. Через каждые 10 атомных повторов введен дополнительный монослой оксида железа с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии. Получившийся материал является магнитоэлектрическим мультиферроиком и может быть использован для хранения двоичного кода, основы цифровых устройств.

Магнитные и электрические свойства мультиферроиков могут проявляться при комнатной температуре, при этом им требуется гораздо меньше энергии для чтения и записи данных (примерно в 100 раз), чем современные устройства, основанные на полупроводниках. Другим преимуществом, является то, что данные на устройствах, созданных при помощи мультиферроиков, не пропадают при внезапном отключении питания.

Ученые отмечают, что до момента создания рабочей электроники пройдет еще несколько лет. Однако это направление является очень перспективным.

Новость взята с Cnews

О журнале

Журнал Jet Info регулярно издается с 1995 года.

Узнать больше »
Подписаться на Jet Info

Хотите узнавать о новых номерах.

Заполните форму »
Контакты

Тел: +7 (495) 411-76-01
Email: